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IPB80N06S208ATMA2备选型号: AUIRF1010ZS
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-310 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2006yes活跃1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN14 nsN-Channel7.7m Ω @ 58A, 10V4V @ 150μA无卤素2860pF @ 25V96nC @ 10V15ns±20V14 ns80A20V55V0.0077Ohm450 mJ无ROHS3 Compliant含铅--------------- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010-Discontinued1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAIN18 nsN-Channel7.5m Ω @ 75A, 10V4V @ 250μA-2840pF @ 25V95nC @ 10V150ns±20V92 ns75A20V-0.0075Ohm-无ROHS3 Compliant-Tine326030Single140WSWITCHING2V94A55V4.826mm10.668mm9.3472mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRF1010ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
 | HUF75344S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
| IRF1010ZSPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
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