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IPB80N06S2L11ATMA2备选型号: HUF75344S3ST
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- Reach合规守则
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- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 上升时间
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- 下降时间（典型值）
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
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MOSFET N-CH 55V 80A TO263-310 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2010yes活跃1 (Unlimited)2EAR99LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2Single增强型MOSFET158WDRAIN11 nsN-Channel10.7m Ω @ 40A, 10V2V @ 93μA无卤素2075pF @ 25V80nC @ 10V32ns±20V13 ns80A20V55V0.0147Ohm55V280 mJ4.4mm10mm9.25mmROHS3 Compliant含铅---------
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-75A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)UltraFET™2004-Obsolete1 (Unlimited)--------Single-285W--N-Channel8mOhm @ 75A, 10V4V @ 250μA-3200pF @ 25V210nC @ 20V125ns±20V57 ns75A20V--55V----符合RoHS标准无铅D2PAK (TO-263AB)175°C-55°C55V75A55V3.2nF8mOhm8 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HUF75344S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
| IPB77N06S212ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3 | 对比 |
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