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IPB80N08S406ATMA1备选型号: STH145N8F7-2AG
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 底架
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-314 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装SILICON4V @ 90μA12013-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™e3yesObsolete1 (Unlimited)2Tin (Sn)SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel5.5m Ω @ 80A, 10V无卤素4800pF @ 25V70nC @ 10V±20V80A80V0.0047Ohm320A270 mJnot_compliantROHS3 Compliant含铅-----
MOSFET N-CH 80V 90A-TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装SILICON4.5V @ 250μA90A Tc--55°C~175°C TJCut Tape (CT)Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7--ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)1 (Unlimited)2-SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel4m Ω @ 45A, 10V-6340pF @ 40V96nC @ 10V±20V90A-0.004Ohm360A515 mJ-ROHS3 Compliant无铅EAR99STH145SWITCHING80V80V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STH145N8F7-2AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 80V 90A | 对比 |
| IPB050N06NGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IPB049N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
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