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首页 全部分类 IPD075N03LGATMA1 vs FDD6637

IPD075N03LGATMA1备选型号: FDD6637

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  • 阈值电压
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPD075N03LGATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET -
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    50A Tc
    2.2V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    1999
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    47W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    7.5m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    1900pF @ 15V
    18nC @ 10V
    3.6ns
    ±20V
    2.8 ns
    50A
    20V
    30V
    30V
    50 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD6637
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDD6637 - Power MOSFET, P Channel, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    4.5V 10V
    3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    11.6m Ω @ 14A, 10V
    -
    2370pF @ 20V
    63nC @ 10V
    10ns
    ±25V
    36 ns
    -13A
    25V
    -
    -35V
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    260.37mg
    11.6MOhm
    1
    18 ns
    35V
    -1.6V
    55A
    150°C
    -1.6 V
    2.517mm
    6.73mm
    6.22mm
    无
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