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首页 全部分类 IPD079N06L3GBTMA1 vs FDD20AN06A0

IPD079N06L3GBTMA1备选型号: FDD20AN06A0

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  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    IPD079N06L3GBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2003
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    79W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.9m Ω @ 50A, 10V
    2.2V @ 34μA
    不含卤素
    4900pF @ 30V
    29nC @ 4.5V
    26ns
    ±20V
    7 ns
    50A
    TO-252AA
    20V
    60V
    0.0079Ohm
    200A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD20AN06A0
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    8A Ta 45A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2011
    -
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    90W
    -
    -
    N-Channel
    -
    20m Ω @ 45A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    950pF @ 25V
    19nC @ 10V
    98ns
    ±20V
    33 ns
    45A
    -
    20V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    260.37mg
    47mOhm
    60V
    45A
    Single
    60V
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