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首页 全部分类 IPD25CN10NGATMA1 vs STD47N10F7AG

IPD25CN10NGATMA1备选型号: STD47N10F7AG

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  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 基本部件号
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Infineon Technologies
    IPD25CN10NGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    71W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 35A, 10V
    4V @ 39μA
    无卤素
    2070pF @ 50V
    31nC @ 10V
    4ns
    ±20V
    3 ns
    35A
    20V
    100V
    0.025Ohm
    140A
    65 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD47N10F7AG
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 45A
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    45A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    18m Ω @ 22.5A, 10V
    4.5V @ 250μA
    -
    1640pF @ 50V
    25nC @ 10V
    -
    ±10V
    -
    45A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    STD47
    100V
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