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首页 全部分类 IPD30N08S222ATMA1 vs IRFR5305TRPBF

IPD30N08S222ATMA1备选型号: IRFR5305TRPBF

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  • 参考标准
  • JESD-30代码
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPD30N08S222ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 75V 30A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    30A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    21.5m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 80μA
    无卤素
    1400pF @ 25V
    57nC @ 10V
    30ns
    ±20V
    20 ns
    30A
    20V
    75V
    0.0215Ohm
    120A
    240 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR5305TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    31A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2000
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    -
    鸥翼
    260
    -
    30
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    14 ns
    P-Channel
    65m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    1200pF @ 25V
    63nC @ 10V
    66ns
    ±20V
    63 ns
    -31A
    20V
    55V
    -
    -
    280 mJ
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    Tin
    SMD/SMT
    65mOhm
    -55V
    -31A
    1
    Single
    110W
    SWITCHING
    -4V
    TO-252AA
    -55V
    -55V
    110 ns
    175°C
    -4 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
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IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET P-CH 55V 31A DPAK 对比