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首页 全部分类 IPD50N03S207ATMA1 vs IPD060N03LGATMA1

IPD50N03S207ATMA1备选型号: IPD060N03LGATMA1

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  • 终端形式
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  • 参考标准
  • JESD-30代码
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IPD50N03S207ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    7.3m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 85μA
    无卤素
    2000pF @ 25V
    68nC @ 10V
    40ns
    ±20V
    30 ns
    50A
    20V
    30V
    200A
    250 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD060N03LGATMA1
    Infineon Technologies
    N-KANAL POWER MOS
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    -
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    6m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    无卤素
    2400pF @ 15V
    23nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    -
    50A
    20V
    30V
    -
    60 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    no
    4
    不合格
    Single
    56W
    SWITCHING
    0.009Ohm
    30V
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
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