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IPD50N06S4L12ATMA2备选型号: IRFR7746TRPBF
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- 晶体管元件材料
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- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 引脚数
- ECCN 代码
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-312 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633.949996gSILICON50A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2009e3yes活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN6 nsN-Channel12m Ω @ 50A, 10V2.2V @ 20μA2890pF @ 25V40nC @ 10V2ns±16V5 ns50A16V60V200A33 mJROHS3 Compliant---------- MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633.949996g-56A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-2004e3-活跃1 (Unlimited)-Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-未说明not_compliant未说明-1Single--7.9 nsN-Channel11.2m Ω @ 35A, 10V3.7V @ 100μA3107pF @ 25V89nC @ 10V30ns±20V21 ns56A20V---ROHS3 Compliant3EAR9975V3.7V2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMTH6009LK3Q-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252 | 对比 |
 | IRFR7746PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK | 对比 |
| IRFR3607PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 75V 80A DPAK | 对比 |
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