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IPD50R800CEAUMA1备选型号: IPD50R500CEAUMA1
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
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- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- 端子位置
- 配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
CONSUMER18 Weeks表面贴装DPAK1Tape & Reel (TR)2008yes活跃3 (168 Hours)2EAR99150°C-55°C40W鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2Single增强型MOSFET40WDRAINSWITCHING无卤素5.5ns500VN-CHANNEL15.9 ns5ATO-25220V500V550V83 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR800mOhmROHS3 Compliant含铅--------------
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO25218 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-637.6A TcTape & Reel (TR)2005yes活跃3 (168 Hours)2EAR99---鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2-增强型MOSFET-DRAINSWITCHING无卤素-550V-----500V-129 mJ--ROHS3 Compliant含铅表面贴装SILICON-55°C~150°C TJCoolMOS™SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODEN-Channel500m Ω @ 2.3A, 13V3.5V @ 200μA433pF @ 100V18.7nC @ 10V±20V0.5Ohm24A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPU50R2K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251 | 对比 |
| IPD50R500CEAUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252 | 对比 |
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