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首页 全部分类 IPD60R180C7ATMA1 vs IPD65R250C6XTMA1

IPD60R180C7ATMA1备选型号: IPD65R250C6XTMA1

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    IPD60R180C7ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH TO252-3
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    13A Tc
    4V @ 260μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C7
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 5.3A, 10V
    无卤素
    1080pF @ 400V
    24nC @ 10V
    ±20V
    13A
    600V
    0.18Ohm
    45A
    53 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD65R250C6XTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 700V 16.1A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    16.1A Tc
    3.5V @ 400μA
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 4.4A, 10V
    无卤素
    950pF @ 100V
    44nC @ 10V
    ±20V
    16.1A
    650V
    0.25Ohm
    46A
    290 mJ
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    13 ns
    11ns
    12 ns
    20V
    700V
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