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首页 全部分类 IPD60R2K1CEBTMA1 vs FQD3N50CTM

IPD60R2K1CEBTMA1备选型号: FQD3N50CTM

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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 功率耗散
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IPD60R2K1CEBTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 600V 2.3A DPAK-2
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    SILICON
    2.3A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2015
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.1 Ω @ 760mA, 10V
    3.5V @ 60μA
    140pF @ 100V
    6.7nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    50 ns
    2.3A
    20V
    600V
    6A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD3N50CTM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    -
    2.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2015
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    10 ns
    N-Channel
    -
    2.5 Ω @ 1.25A, 10V
    4V @ 250μA
    365pF @ 25V
    13nC @ 10V
    25ns
    ±30V
    25 ns
    2.5A
    30V
    500V
    -
    符合RoHS标准
    -
    35W
    2.3mm
    6.6mm
    6.1mm
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