IPD60R3K3C6ATMA1备选型号: FQD3N50CTM
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 功率耗散
- 漏源击穿电压
- MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-312 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6333.949996gSILICON1.7A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ C62008e3不用于新设计1 (Unlimited)2Tin (Sn)鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING3.3 Ω @ 500mA, 10V3.5V @ 40μA93pF @ 100V4.6nC @ 10V10ns±20V60 ns1.7A30V600V4A6 mJ2.41mm6.73mm6.22mmROHS3 Compliant--
- MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633--2.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®2015-Obsolete1 (Unlimited)--------Single--10 nsN-Channel-2.5 Ω @ 1.25A, 10V4V @ 250μA365pF @ 25V13nC @ 10V25ns±30V25 ns2.5A30V---2.3mm6.6mm6.1mm符合RoHS标准35W500V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FQD3N50CTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK | 对比 |




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