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首页 全部分类 IPD60R460CEATMA1 vs IPD60R2K0C6ATMA1

IPD60R460CEATMA1备选型号: IPD60R2K0C6ATMA1

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 配置
  • 最大双电源电压
  • Infineon Technologies
    IPD60R460CEATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 600V 9.1A DPAK-2
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3.949996g
    SILICON
    9.1A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2014
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    460m Ω @ 3.4A, 10V
    3.5V @ 280μA
    620pF @ 100V
    28nC @ 10V
    9ns
    600V
    ±20V
    10 ns
    9.1A
    20V
    0.46Ohm
    26A
    600V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R2K0C6ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    2.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C6
    2008
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    -
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2 Ω @ 760mA, 10V
    3.5V @ 60μA
    140pF @ 100V
    6.7nC @ 10V
    -
    -
    ±20V
    50 ns
    2.4A
    20V
    2Ohm
    6A
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    12 Weeks
    3
    SINGLE
    not_compliant
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    600V
  • 添加型号
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