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首页 全部分类 IPD60R460CEATMA1 vs IPD60R600C6ATMA1

IPD60R460CEATMA1备选型号: IPD60R600C6ATMA1

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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 配置
  • 功率耗散
  • 最大双电源电压
  • Infineon Technologies
    IPD60R460CEATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 600V 9.1A DPAK-2
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3.949996g
    SILICON
    9.1A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2014
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    460m Ω @ 3.4A, 10V
    3.5V @ 280μA
    620pF @ 100V
    28nC @ 10V
    9ns
    600V
    ±20V
    10 ns
    9.1A
    20V
    0.46Ohm
    26A
    600V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R600C6ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3.949996g
    SILICON
    7.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C6
    2008
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    -
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    600m Ω @ 2.4A, 10V
    3.5V @ 200μA
    440pF @ 100V
    20.5nC @ 10V
    9ns
    -
    ±20V
    13 ns
    7.3A
    20V
    0.6Ohm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    3
    e3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    not_compliant
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    63W
    600V
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