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首页 全部分类 IPD65R250E6XTMA1 vs IPD65R225C7ATMA1

IPD65R250E6XTMA1备选型号: IPD65R225C7ATMA1

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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • Reach合规守则
  • 箱体转运
  • 下降时间（典型值）
  • Infineon Technologies
    IPD65R250E6XTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 700V 16.1A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    16.1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ E6
    2008
    e3
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    208W
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 4.4A, 10V
    3.5V @ 400μA
    无卤素
    950pF @ 1000V
    45nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    16.1A
    20V
    650V
    0.25Ohm
    700V
    46A
    290 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD65R225C7ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    CoolMOS™ C7
    2013
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    63W
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    225m Ω @ 4.8A, 10V
    4V @ 240μA
    无卤素
    996pF @ 400V
    20nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    11A
    20V
    650V
    0.225Ohm
    -
    -
    48 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    3
    not_compliant
    DRAIN
    10 ns
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