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首页 全部分类 IPD65R660CFDBTMA1 vs IPD60R520CPBTMA1

IPD65R660CFDBTMA1备选型号: IPD60R520CPBTMA1

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  • 终止次数
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  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • JEDEC-95代码
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPD65R660CFDBTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 6A TO252
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2011
    no
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    62.5W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    660m Ω @ 2.1A, 10V
    4.5V @ 200μA
    615pF @ 100V
    22nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    10 ns
    6A
    20V
    650V
    6A
    0.66Ohm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R520CPBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    6.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2008
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    260
    40
    4
    R-PSSO-G2
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    66W
    -
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    520m Ω @ 3.8A, 10V
    3.5V @ 250μA
    630pF @ 100V
    31nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    16 ns
    6.8A
    20V
    600V
    -
    0.52Ohm
    符合RoHS标准
    -
    e3
    哑光锡
    TO-252AA
    无
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