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首页 全部分类 IPD80N04S306ATMA1 vs IPD90N04S404ATMA1

IPD80N04S306ATMA1备选型号: IPD90N04S404ATMA1

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IPD80N04S306ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    SILICON
    90A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2007
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    5.2m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 52μA
    无卤素
    3250pF @ 25V
    47nC @ 10V
    ±20V
    90A
    40V
    0.0052Ohm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD90N04S404ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    90A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    4.1m Ω @ 90A, 10V
    4V @ 35.2mA
    无卤素
    3440pF @ 25V
    43nC @ 10V
    ±20V
    90A
    40V
    0.0041Ohm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    16 Weeks
    10 ns
    11ns
    20V
    95 mJ
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