Infineon Technologies AUIRFR8401
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AUIRFR8401
1211-AUIRFR8401
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
--最小包装量--
AUIRFR8401详情
Infineon Technologies AUIRFR8401重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
D-Pak
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
79W Tc
Turn Off Delay Time
25 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2009
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
基本部件号
IRFR8401
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
79W
接通延迟时间
7.9 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.25mOhm @ 60A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2200pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
63nC @ 10V
上升时间
34ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
24 ns
连续放电电流(ID)
100A
阈值电压
3.9V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
输入电容
2.2nF
漏源电阻
4.25mOhm
最大rds
4.25 mΩ
栅源电压
2.2 V
高度
2.39mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
AUIRFR8401拓展信息
Infineon Technologies
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