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首页 全部分类 IPD80P03P4L07ATMA1 vs FDD8896

IPD80P03P4L07ATMA1备选型号: FDD8896

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  • RoHS状态
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  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPD80P03P4L07ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    80A Tc
    2V @ 130μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    88W
    DRAIN
    8 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    6.8m Ω @ 80A, 10V
    无卤素
    5700pF @ 25V
    80nC @ 10V
    4ns
    30V
    +5V, -16V
    60 ns
    80A
    5V
    -30V
    0.0068Ohm
    320A
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8896
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    17A Ta 94A Tc
    2.5V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    80W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.7m Ω @ 35A, 10V
    -
    2525pF @ 15V
    60nC @ 10V
    106ns
    -
    ±20V
    41 ns
    94A
    20V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    3
    260.37mg
    yes
    5.7MOhm
    30V
    94A
    Single
    2.5V
    TO-252AA
    30V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无
  • 添加型号
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