您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IPD80P03P4L07ATMA1 vs IRLR8726PBF

IPD80P03P4L07ATMA1备选型号: IRLR8726PBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 终端
  • 电阻
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPD80P03P4L07ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    80A Tc
    2V @ 130μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    88W
    DRAIN
    8 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    6.8m Ω @ 80A, 10V
    无卤素
    5700pF @ 25V
    80nC @ 10V
    4ns
    30V
    +5V, -16V
    60 ns
    80A
    5V
    -30V
    0.0068Ohm
    320A
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR8726PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    75W Tc
    2.35V @ 50μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    75W
    -
    12 ns
    N-Channel
    -
    5.8m Ω @ 25A, 10V
    -
    2150pF @ 15V
    23nC @ 4.5V
    49ns
    -
    ±20V
    16 ns
    86A
    20V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    SMD/SMT
    5.8MOhm
    Single
    1.8V
    30V
    30V
    36 ns
    1.8 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPD85P04P407ATMA1 IPD85P04P407ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET P-CH 40V 85A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252 对比
IRLR8726PBF IRLR8726PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 对比
IPD85P04P4L06ATMA1 IPD85P04P4L06ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET P-CH 40V 85A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252 对比