IPD80R2K8CEATMA1备选型号: STD2N80K5
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
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- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- N-Channel 800 V 2.8 O 12 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK18 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633PG-TO252-33.949996g1.9A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ CE2008活跃1 (Unlimited)150°C-55°C1Single25 nsN-Channel2.8Ohm @ 1.1A, 10V3.9V @ 120μA290pF @ 100V12nC @ 10V15ns800V±20V18 ns1.9A30V800V290pF2.4Ohm2.8 ΩROHS3 Compliant无铅--------
- Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R17 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-3.949996g2A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperMESH5™-活跃1 (Unlimited)--1Single8 nsN-Channel4.5 Ω @ 1A, 10V5V @ 100μA95pF @ 100V3nC @ 10V----2A30V----ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)EAR99STD2N80800V2.4mm6.6mm6.2mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SPD02N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin TO-252 T/R | 对比 |




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