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1

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10

￥8.118901
100

￥7.659341
500

￥7.225794
1000

￥6.816786

Infineon Technologies IPD80R2K8CEATMA1

Name: IPD80R2K8CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPD80R2K8CEATMA1
Price: 8.61 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPD80R2K8CEATMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPD80R2K8CEATMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-Channel 800 V 2.8 O 12 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK

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IPD80R2K8CEATMA1 Infineon Technologies N-Channel 800 V 2.8 O 12 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK

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IPD80R2K8CEATMA1详情

技术参数

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型号对比

Infineon Technologies IPD80R2K8CEATMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

18 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数

3
供应商器件包装

PG-TO252-3
质量

3.949996g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.9A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

42W Tc
Turn Off Delay Time

72 ns
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
系列

CoolMOS™ CE
已出版

2008
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-55°C
通道数量

1
元素配置

Single
接通延迟时间

25 ns
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

2.8Ohm @ 1.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 120μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

290pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 10V
上升时间

15ns
漏源电压 (Vdss)

800V
Vgs（最大值）

±20V
下降时间（典型值）

18 ns
连续放电电流(ID)

1.9A
栅极至源极电压(Vgs)

30V
最大双电源电压

800V
输入电容

290pF
漏源电阻

2.4Ohm
最大rds

2.8 Ω
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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IPD80R2K8CEATMA1拓展信息

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