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首页 全部分类 IPD80R2K8CEBTMA1 vs SPD02N80C3ATMA1

IPD80R2K8CEBTMA1备选型号: SPD02N80C3ATMA1

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  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
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  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IPD80R2K8CEBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3.949996g
    SILICON
    1.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2008
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    42W
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.8 Ω @ 1.1A, 10V
    3.9V @ 120μA
    290pF @ 100V
    12nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    18 ns
    1.9A
    20V
    800V
    800V
    6A
    90 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPD02N80C3ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin TO-252 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2005
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    42W
    25 ns
    N-Channel
    -
    2.7Ohm @ 1.2A, 10V
    3.9V @ 120μA
    290pF @ 100V
    16nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    18 ns
    2A
    20V
    800V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    18 Weeks
    3
    PG-TO252-3
    150°C
    -55°C
    800V
    2A
    800V
    290pF
    2.4Ohm
    2.7 Ω
    无铅
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