IPD90N04S3H4ATMA1备选型号: IPD038N04NGBTMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 无铅代码
- 资历状况
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON14V @ 65μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2008e3不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)SINGLE鸥翼未说明未说明AEC-Q101R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN20 nsN-Channel4.3m Ω @ 90A, 10V无卤素3900pF @ 25V60nC @ 10V13ns±20V10 ns90A20V40Vnot_compliantROHS3 Compliant含铅----------
- Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-634SILICON90A Tc4V @ 45μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2011e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99哑光锡SINGLE鸥翼26040-R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN-N-Channel3.8m Ω @ 90A, 10V-4500pF @ 20V56nC @ 10V-±20V-90A20V-unknown符合RoHS标准-yes不合格94WSWITCHING40VTO-252AA0.0038Ohm400A40V55 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDD9409-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-channel Power Trench MOSFET | 对比 |
![]() | IPD038N04NGBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |




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