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首页 全部分类 IPD90N04S403ATMA1 vs IRFR7440TRPBF

IPD90N04S403ATMA1备选型号: IRFR7440TRPBF

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPD90N04S403ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    90A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    3.2m Ω @ 90A, 10V
    4V @ 53μA
    无卤素
    5260pF @ 25V
    66.8nC @ 10V
    11ns
    ±20V
    15 ns
    90A
    20V
    40V
    185 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR7440TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 40V 90A DPAK
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    90A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    SINGLE
    鸥翼
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    2.4m Ω @ 90A, 10V
    3.9V @ 100μA
    -
    4610pF @ 25V
    134nC @ 10V
    39ns
    ±20V
    34 ns
    180A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1
    140W
    SWITCHING
    3V
    TO-252AA
    90A
    0.0024Ohm
    40V
    760A
    175°C
    3 V
    2.52mm
    无SVHC
    无
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