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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.685794
10
¥7.25075
100
¥6.840329
500
¥6.453141
1000
¥6.087868
Infineon Technologies IPD90N04S403ATMA1
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- 对比
IPD90N04S403ATMA1
1211-IPD90N04S403ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
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MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPD90N04S403ATMA1详情
Infineon Technologies IPD90N04S403ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
90A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
94W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2010
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.2m Ω @ 90A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 53μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5260pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
66.8nC @ 10V
上升时间
11ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
90A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
40V
雪崩能量等级(Eas)
185 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPD90N04S403ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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