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首页 全部分类 IPD90P03P404ATMA1 vs IRFR3711ZTRPBF

IPD90P03P404ATMA1备选型号: IRFR3711ZTRPBF

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  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPD90P03P404ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    90A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    35 ns
    P-Channel
    4.5m Ω @ 90A, 10V
    4V @ 253μA
    无卤素
    10300pF @ 25V
    130nC @ 10V
    10ns
    30V
    ±20V
    20 ns
    90A
    20V
    -30V
    0.0045Ohm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR3711ZTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    93A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    鸥翼
    260
    -
    30
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    5.7m Ω @ 15A, 10V
    2.45V @ 250μA
    -
    2160pF @ 10V
    27nC @ 4.5V
    13ns
    -
    ±20V
    5.2 ns
    93A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    5.7MOhm
    20V
    93A
    Single
    79W
    SWITCHING
    TO-252AA
    20V
    2.26mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无
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