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IPG15N06S3L-45备选型号: PHT11N06LT,135
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 表面安装
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- HTS代码
- 端子位置
- 晶体管应用
- Vgs（最大值）
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 关断时间-最大值（toff)
- 接通时间-最大值(ton)
MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2008e3Obsolete1 (Unlimited)6EAR99哑光锡逻辑电平兼容21WFLAT260408R-PDSO-F6不合格SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN21W2 N-Channel (Dual)45m Ω @ 10A, 10V2.2V @ 10μA1420pF @ 25V20nC @ 10V55V15A17A0.045Ohm60A55V47 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门符合RoHS标准---------
MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223-表面贴装TO-261-4, TO-261AA4SILICON4.9A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™1998e3Obsolete1 (Unlimited)4EAR99Matte Tin (Sn)--鸥翼未说明未说明-R-PDSO-G4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN-N-Channel40m Ω @ 5A, 5V-1400pF @ 25V17nC @ 5V55V-4.9A0.04Ohm19A55V60 mJ--ROHS3 CompliantYES2V @ 1mA8541.29.00.95DUALSWITCHING±13V150 pF210ns125ns- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDMS5362L-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | N-Channel 60V 17.6A (Tc) 41.7W (Tc) Surface Mount Power56 | 对比 |
| PHT11N06LT,135 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223 | 对比 |
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