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首页 全部分类 IPG16N10S461AATMA1 vs IPB50CN10NGATMA1

IPG16N10S461AATMA1备选型号: IPB50CN10NGATMA1

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  • 场效应管特性
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
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  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
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  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPG16N10S461AATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 8TDSON
    12 Weeks
    表面贴装
    Surface Mount, Wettable Flank
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2012
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    29W
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2 N-Channel (Dual)
    61m Ω @ 16A, 10V
    3.5V @ 9μA
    无卤素
    490pF @ 25V
    7nC @ 10V
    100V
    16A
    100V
    0.061Ohm
    64A
    33 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB50CN10NGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2 Tab) TO-263
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    鸥翼
    260
    -
    40
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    50m Ω @ 20A, 10V
    -
    -
    1090pF @ 50V
    16nC @ 10V
    100V
    20A
    -
    0.05Ohm
    80A
    29 mJ
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    4V @ 20μA
    e3
    EAR99
    哑光锡
    SINGLE
    R-PSSO-G2
    不合格
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    100V
    unknown
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