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首页 全部分类 IPG20N04S412AATMA1 vs FDMS7698

IPG20N04S412AATMA1备选型号: FDMS7698

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 最大双电源电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
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  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPG20N04S412AATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 8TDSON
    12 Weeks
    表面贴装
    Surface Mount, Wettable Flank
    8-PowerVDFN
    8
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    41W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2 N-Channel (Dual)
    12.2m Ω @ 17A, 10V
    4V @ 15μA
    无卤素
    1470pF @ 25V
    18nC @ 10V
    40V
    20A
    40V
    Standard
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS7698
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    PowerTrench®
    e3
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    10m Ω @ 13.5A, 10V
    -
    -
    1605pF @ 15V
    24nC @ 10V
    -
    22A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    74mg
    SILICON
    13.5A Ta 22A Tc
    3V @ 250μA
    yes
    5
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    29W
    DRAIN
    9 ns
    SWITCHING
    3ns
    ±20V
    3 ns
    2V
    MO-240AA
    20V
    30V
    50A
    29 mJ
    2 V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
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FDMC8327L FDMC8327L ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerWDFN ON SEMICONDUCTOR - FDMC8327L - MOSFET Transistor, N Channel, 14 A, 40 V, 0.0074 ohm, 10 V, 1.7 V 对比