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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.206597
10
¥4.911884
100
¥4.633853
500
¥4.371559
1000
¥4.124113
Infineon Technologies IPG20N04S412AATMA1
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- 对比
IPG20N04S412AATMA1
1211-IPG20N04S412AATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerVDFN
大陆
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MOSFET 2N-CH 8TDSON
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¥
总价: ¥
IPG20N04S412AATMA1详情
Infineon Technologies IPG20N04S412AATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
Surface Mount, Wettable Flank
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
41W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
12.2m Ω @ 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 15μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1470pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
40V
连续放电电流(ID)
20A
最大双电源电压
40V
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPG20N04S412AATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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