IPG20N04S412ATMA1备选型号: FDMC8327L
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 底架
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- JESD-30代码
- 通道数量
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Vgs(最大值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET 2N-CH 8TDSON12 Weeks表面贴装8-PowerVDFN8PG-TDSON-8-420A-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2010活跃1 (Unlimited)175°C-55°C41WDual41W9 ns41W2 N-Channel (Dual)12.2mOhm @ 17A, 10V4V @ 15μA无卤素1470pF @ 25V18nC @ 10V2ns40V8 ns20A20V40V40V1.13nFStandard12.2mOhm12.2 mΩ1mm5.15mm6.15mmROHS3 Compliant------------------------
- ON SEMICONDUCTOR - FDMC8327L - MOSFET Transistor, N Channel, 14 A, 40 V, 0.0074 ohm, 10 V, 1.7 V4 Weeks表面贴装8-PowerWDFN8-12A Ta 14A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)1 (Unlimited)---Single2.3W8.4 ns-N-Channel9.7m Ω @ 12A, 10V--1850pF @ 20V26nC @ 10V2.2ns-2.2 ns12A20V-40V----800μm3.3mm3.3mmROHS3 Compliant表面贴装180mgSILICON3V @ 250μAe4yes5EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)DUALS-PDSO-N51增强型MOSFETDRAINSWITCHING±20V1.7VMO-240BA0.0097Ohm60A25 mJ150°C无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS5834NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Power MOSFET 40V, 75A, 9.3 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level. Power MOSFET | 对比 | |
| NTMFS5834NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET N-CH 40V 13A SO-8FL | 对比 |



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