Infineon Technologies IPG20N04S412ATMA1
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IPG20N04S412ATMA1
1211-IPG20N04S412ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerVDFN
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MOSFET 2N-CH 8TDSON
--最小包装量--
IPG20N04S412ATMA1详情
Infineon Technologies IPG20N04S412ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PG-TDSON-8-4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A
Turn Off Delay Time
10 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2010
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
41W
元素配置
Dual
功率耗散
41W
接通延迟时间
9 ns
功率 - 最大
41W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
12.2mOhm @ 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 15μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1470pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 10V
上升时间
2ns
漏源电压 (Vdss)
40V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
20A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
40V
漏源击穿电压
40V
输入电容
1.13nF
场效应管特性
Standard
漏源电阻
12.2mOhm
最大rds
12.2 mΩ
高度
1mm
长度
5.15mm
宽度
6.15mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPG20N04S412ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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