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IPG20N06S2L35AATMA1备选型号: AUIRLR3105

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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPG20N06S2L35AATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 8TDSON
    10 Weeks
    表面贴装
    Surface Mount, Wettable Flank
    8-PowerVDFN
    8
    PG-TDSON-8-10
    2A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    65W
    65W
    65W
    2 N-Channel (Dual)
    35mOhm @ 15A, 10V
    2V @ 27μA
    无卤素
    790pF @ 25V
    23nC @ 10V
    55V
    20A
    20V
    55V
    790pF
    逻辑电平门
    28mOhm
    35 mΩ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRLR3105
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    25A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    57W
    -
    N-Channel
    37m Ω @ 15A, 10V
    -
    -
    710pF @ 25V
    20nC @ 5V
    -
    25A
    16V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3V @ 250μA
    EAR99
    Single
    8 ns
    57ns
    ±16V
    37 ns
    1V
    55V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
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