IPG20N06S2L35AATMA1备选型号: STL8DN6LF3
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- 功率耗散
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
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- 无铅
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- 基本部件号
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- 场效应管技术
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- MOSFET 2N-CH 8TDSON10 Weeks表面贴装Surface Mount, Wettable Flank8-PowerVDFN8PG-TDSON-8-102A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2013活跃1 (Unlimited)175°C-55°C65W65W65W2 N-Channel (Dual)35mOhm @ 15A, 10V2V @ 27μA无卤素790pF @ 25V23nC @ 10V55V20A20V55V790pF逻辑电平门28mOhm35 mΩROHS3 Compliant含铅--------
- MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X612 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8-2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III-活跃1 (Unlimited)--65W65W-2 N-Channel (Dual)30m Ω @ 4A, 10V3V @ 250μA-668pF @ 25V13nC @ 10V60V20A20V--逻辑电平门--ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)EAR99STL89 ns7.7ns5 nsMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRLR3105 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 55V 25A DPAK | 对比 |
![]() | IRLR3105TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 55V 25A DPAK | 对比 |
![]() | AUIRFR4105ZTRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | 对比 |





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