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IPG20N06S415AATMA1备选型号: DMNH6022SSDQ-13
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- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
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- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- 漏极-源极导通最大电阻
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- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- JESD-30代码
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET 2N-CH 8TDSON12 Weeks表面贴装Surface Mount, Wettable Flank8-PowerVDFN8SILICON2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2015yes活跃1 (Unlimited)850WFLAT未说明not_compliant未说明SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2 N-Channel (Dual)15.5m Ω @ 17A, 10V4V @ 20μA无卤素2260pF @ 25V29nC @ 10V60V20A60V0.0155Ohm90 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant含铅---------
MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO18 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)-SILICON7.1A 22.6A-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012016-活跃1 (Unlimited)81.5W鸥翼未说明-未说明SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2 N-Channel (Dual)27m Ω @ 5A, 10V3V @ 250μA-2127pF @ 25V32nC @ 30V60V22.6A-0.03Ohm24 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant-e3EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYR-PDSO-G8SWITCHING7.1A45A60V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMNH6022SSDQ-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO | 对比 |
 | STD20NF06T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
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