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首页 全部分类 IPG20N06S4L26ATMA1 vs HUFA76429D3S

IPG20N06S4L26ATMA1备选型号: HUFA76429D3S

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  • 配置
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  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    IPG20N06S4L26ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TDSON EP
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    OptiMOS™
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    33W
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    AEC-Q101
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    5 ns
    33W
    2 N-Channel (Dual)
    26m Ω @ 17A, 10V
    2.2V @ 10μA
    无卤素
    1430pF @ 25V
    20nC @ 10V
    1.5ns
    10 ns
    20A
    16V
    60V
    0.026Ohm
    35 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HUFA76429D3S
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    2001
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    23m Ω @ 20A, 10V
    -
    -
    1480pF @ 25V
    46nC @ 10V
    36ns
    56 ns
    20A
    16V
    -
    0.029Ohm
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    3V @ 250μA
    yes
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    60V
    20A
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    110W
    DRAIN
    ±16V
    TO-252AA
    60V
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