Infineon Technologies IPG20N06S4L26ATMA1

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

18 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

OptiMOS™

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

33W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

5 ns

功率 - 最大

33W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

26m Ω @ 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 10μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1430pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

1.5ns

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

20A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大双电源电压

60V

漏极-源极导通最大电阻

0.026Ohm

雪崩能量等级（Eas）

35 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅