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IPI100N06S3L04XK备选型号: IPI120N06S403AKSA1
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3PG-TO262-3100A Tc2.2V @ 150μA-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2007Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°CN-Channel3.8mOhm @ 80A, 10V17270pF @ 25V362nC @ 10V55V±16V100A17.27nF3.8 mΩ符合RoHS标准---------------
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-120A Tc4V @ 120μA-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2009Obsolete1 (Unlimited)--N-Channel3.2m Ω @ 100A, 10V13150pF @ 25V160nC @ 10V-±20V120A--符合RoHS标准SILICON3EAR99SINGLE未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN40 ns10ns15 ns20V60V480A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFSL8403 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 40V 123A TO262 | 对比 |
| IPI120N06S403AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 | 对比 |
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