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IPI120N04S401AKSA1备选型号: STI360N4F6
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- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
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- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 辐射硬化
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3 Tab) TO-26216 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON14V @ 140μA-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2010活跃1 (Unlimited)3EAR99SINGLE未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET34 nsN-Channel1.9m Ω @ 100A, 10V无卤素14000pF @ 25V176nC @ 10V16ns±20V36 ns120A20V40V0.0019Ohm480A750 mJROHS3 Compliant含铅------
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK-通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-300W Tc4.5V @ 250μA-55°C~175°C TJTubeAutomotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI-Obsolete不适用-EAR99------N-Channel1.8m Ω @ 60A, 10V-17930pF @ 25V340nC @ 10V-±20V-120A20V----ROHS3 Compliant-1.437803gSTI360N1Single40V无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | AUIRFSL8403 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 40V 123A TO262 | 对比 |
| STI400N4F6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK | 对比 |
 | BUK7E1R6-30E,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK | 对比 |
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