STI360N4F6
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STMicroelectronics STI360N4F6

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型号

STI360N4F6

utmel 编号

2381-STI360N4F6

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

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STI360N4F6
STI360N4F6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

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STI360N4F6详情

STMicroelectronics STI360N4F6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

  • 引脚数

    3

  • 质量

    1.437803g

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    120A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    300W Tc

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    不适用

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 基本部件号

    STI360N

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.8m Ω @ 60A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    17930pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    340nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    40V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    120A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

右边的3个型号有着和STMicroelectronics & STI360N4F6相似的参数规格。

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