STMicroelectronics STI360N4F6
- 收藏
- 对比
STI360N4F6
2381-STI360N4F6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
--最小包装量--
STI360N4F6详情
STMicroelectronics STI360N4F6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
质量
1.437803g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
300W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
STI360N
通道数量
1
元素配置
Single
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.8m Ω @ 60A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
17930pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
340nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
120A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STI360N4F6拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics










哦! 它是空的。