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IPI45N06S3L-13备选型号: IRFZ46NLPBF
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 端子位置
- 配置
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 55V 45A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AASILICON45A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2007e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99哑光锡逻辑电平兼容55V26045A403R-PSIP-T3不合格Single增强型MOSFET65WN-Channel13.4m Ω @ 26A, 10V2.2V @ 30μA3600pF @ 25V75nC @ 10V46ns±16V124 ns45A16V55V95 mJ符合RoHS标准无铅---------------
MOSFET N-CH 55V 53A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AASILICON53A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY55V26053A30----增强型MOSFET120WN-Channel16.5m Ω @ 28A, 10V4V @ 250μA1696pF @ 25V72nC @ 10V76ns±20V57 ns53A20V55V152 mJROHS3 Compliant无铅12 Weeks3SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODEDRAIN14 nsSWITCHING4V0.0165Ohm180A9.65mm10.668mm4.826mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFZ46NLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 53A TO-262 | 对比 |
| IRFSL3806PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 43A TO-262 | 对比 |
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