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IPI50R199CPXKSA1备选型号: SPI21N50C3XKSA1
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3 Tab) TO-2628 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON17A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008yesObsolete1 (Unlimited)3SINGLE未说明未说明3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET35 nsN-ChannelSWITCHING199m Ω @ 9.9A, 10V3.5V @ 660μA无卤素1800pF @ 100V45nC @ 10V14ns±20V10 ns17A20V500V0.199Ohm40A符合RoHS标准无铅---------------
MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK8 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-21A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2005-不用于新设计1 (Unlimited)--------10 nsN-Channel-190mOhm @ 13.1A, 10V3.9V @ 1mA无卤素2400pF @ 25V95nC @ 10V5ns±20V4.5 ns21A20V500V--ROHS3 Compliant无铅PG-TO262-3-1150°C-55°C560V11.6ASingle208W560V500V2.4nF190mOhm190 mΩ9.45mm10.36mm4.52mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPI50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3 Tab) TO-262 | 对比 |
| SPI21N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK | 对比 |
| IPI60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET 600V CoolMOSC6 Power Transistor | 对比 |
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