IPI60R199CPXKSA2备选型号: HUF75639S3

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 包装/外壳
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 最高工作温度
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  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 安装类型
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin TO-262 Tube
    26 Weeks
    通孔
    TO-262
    3
    1
    2008
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    150°C
    -55°C
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    10 ns
    SWITCHING
    5ns
    N-CHANNEL
    16A
    20V
    0.199Ohm
    51A
    600V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA
    9 Weeks
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    -
    56A Tc
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    15 ns
    SWITCHING
    60ns
    -
    56A
    20V
    0.025Ohm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    通孔
    2.084g
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    100V
    56A
    R-PSIP-T3
    Single
    200W
    DRAIN
    N-Channel
    25m Ω @ 56A, 10V
    4V @ 250μA
    2000pF @ 25V
    130nC @ 20V
    ±20V
    25 ns
    100V
    无铅
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