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IPI80N06S2L05AKSA2备选型号: IPI80N04S4L04AKSA1
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无卤素
- 无铅
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-314 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2006yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99逻辑电平兼容SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET19 nsN-ChannelSWITCHING4.8m Ω @ 80A, 10V2V @ 250μA5700pF @ 25V230nC @ 10V93ns±20V90 ns80A20V55V0.006Ohm800 mJ无ROHS3 Compliant--
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-114 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-71W Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2010-Obsolete1 (Unlimited)-EAR99----7 nsN-Channel-4.3m Ω @ 80A, 10V2.2V @ 35μA4690pF @ 25V60nC @ 10V12ns+20V, -16V31 ns80A20V40V---符合RoHS标准无卤素含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPI80N04S4L04AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1 | 对比 |
 | 2SK4066-1E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin TO-262 Magazine | 对比 |
| IPI040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 90A | 对比 |
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