IPI80N06S3-07备选型号: IPI70N04S406AKSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 端子位置
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 55V 80A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AASILICON80A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2007e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99哑光锡雪崩 额定55V26080A403R-PSIP-T3不合格Single增强型MOSFET135WN-Channel6.8m Ω @ 51A, 10V4V @ 80μA7768pF @ 25V170nC @ 10V41ns±20V33 ns80A20V0.0068Ohm55V符合RoHS标准无铅---------
- MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1-通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AASILICON70A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2010-活跃1 (Unlimited)3EAR99---未说明-未说明-R-PSIP-T3--增强型MOSFET-N-Channel6.5m Ω @ 70A, 10V4V @ 26μA2550pF @ 25V32nC @ 10V-±20V---0.0065Ohm-ROHS3 Compliant-16 WeeksNOSINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE40V70A280A40V72 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPI029N06NAKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3 | 对比 |



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