Infineon Technologies IPI80N06S3-07

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

135W Tc

Turn Off Delay Time

34 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2007

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

55V

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

80A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

135W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.8m Ω @ 51A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 80μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7768pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

170nC @ 10V

上升时间

41ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

33 ns

连续放电电流(ID)

80A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0068Ohm

漏源击穿电压

55V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅