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首页 全部分类 IPI80N06S405AKSA2 vs FQI50N06TU

IPI80N06S405AKSA2备选型号: FQI50N06TU

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IPI80N06S405AKSA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CHANNEL_55/60V
    16 Weeks
    通孔
    TO-262-3
    3
    2.387001g
    1
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    107W
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    20 ns
    5ns
    60V
    N-CHANNEL
    8 ns
    80A
    TO-262AA
    20V
    60V
    0.0057Ohm
    6.5nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    5.7 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQI50N06TU
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
    6 Weeks
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    -
    2.084g
    50A Tc
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    15 ns
    105ns
    -
    -
    65 ns
    50A
    -
    25V
    -
    0.022Ohm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    通孔
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    QFET®
    EAR99
    60V
    50A
    R-PSIP-T3
    Single
    3.75W
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 250μA
    1540pF @ 25V
    41nC @ 10V
    ±25V
    60V
    200A
    490 mJ
    无
    无铅
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FQI50N06TU FQI50N06TU ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK 对比