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首页 全部分类 IPI80N06S405AKSA2 vs IPI084N06L3GXKSA1

IPI80N06S405AKSA2备选型号: IPI084N06L3GXKSA1

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  • 终止次数
  • 端子表面处理
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IPI80N06S405AKSA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CHANNEL_55/60V
    16 Weeks
    通孔
    TO-262-3
    3
    2.387001g
    1
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    107W
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    20 ns
    5ns
    60V
    N-CHANNEL
    8 ns
    80A
    TO-262AA
    20V
    60V
    0.0057Ohm
    6.5nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    5.7 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPI084N06L3GXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 60V 50A I2PAK-3
    12 Weeks
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    -
    50A Tc
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    15 ns
    -
    -
    -
    -
    50A
    -
    20V
    60V
    0.0084Ohm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    通孔
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    EAR99
    逻辑电平兼容
    3
    Single
    N-Channel
    SWITCHING
    8.4m Ω @ 50A, 10V
    2.2V @ 34μA
    无卤素
    4900pF @ 30V
    29nC @ 4.5V
    ±20V
    60V
    200A
    9.45mm
    10.36mm
    4.52mm
    无铅
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